logo_2020_150x32logo_2020_150x32logo_2020_150x32logo_2020_150x32
  • Продукция
    • Процессоры
    • SSD и HDD
    • Модули памяти
  • Тонкие клиенты
    • VIA
      • SMT-Q50
      • SMT-Q60
    • Intel
      • SMT-Q80
      • SMT-Q90
    • AMD
      • SMT-Q70
    • ARM
      • SMT-Q10
  • О компании
    • Контакты
  • Новости
✕

Intel представила стеклянную подложку для сложных чипов будущего с EMIB

23.01.2026

Intel представила на выставке NEPCON Japan 2026 новую технологию стеклянных подложек, которая поможет в производстве чипов для ускорителей искусственного интеллекта и сферы высокопроизводительных вычислений.

Подложки размером 78 × 77 мм достаточно для всего корпуса чипа — она способна разместить примерно вдвое больший размер фотошаблона по сравнению с кремнием — около 1716 мм² для логики и памяти. Это первая стеклянная подложка в конфигурации 10-2-10 с поддержкой технологии многочиповых модулей Intel EMIB. На верхней части размещаются десять RDL-слоёв интерпозера для перераспределения сигналов от кристалла.

Основу подложки составляют два слоя, и изготавливается она из материала класса 800 мкм (0,8 мм), который может включать внутренние металлические слои для схем со сквозными отверстиями в стекле (TGV), пластин питания или заземления. Последнее число «10» обозначает количество слоёв на нижней стороне — зеркальное отражение верхних для подключения к плате. Этот слой также служит для того, чтобы упорядочить множество проводов на кристалле.

Ещё одно достоинство подложки Intel 10-2-10 — шаг контактной площадки составляет всего 45 мкм. Наконец, встроены два моста EMIB для многочиповой модульной упаковки — то есть можно устанавливать на подложку несколько чипов небольшого размера и соединять их по EMIB. Intel также нашла некое решение, позволяющее избежать проблемы SeWaRe — растрескивания стекла при производстве.

Стеклянные подложки отличаются повышенной сложностью в производстве по сравнению с органическими, поэтому разработкой данной технологии занимается относительно небольшое число компаний. Среди сильных сторон, однако, перечисляются термостойкость, предотвращение деформации и улучшенная электрическая изоляция — задержки сигнала и помехи в плотно связанных областях снижаются, а плотность межсоединений возрастает.